当前位置:

HTP605系列

全模拟单晶硅压力变送器方案

发布日期:2020-07-31

HTP605全模拟单晶硅压力变送器方案,HTP605将单晶硅压力、差压传感器的mV输出信号直接转换为4~20mA,可通过两个旋钮进行零点和满点调整。没有任何数字或微处理器元件,抗干扰能力强。配套传感器内置硬件温度补偿电路,有效抑制温度对mV输出信号的影响。HTP605特别适用于核电站等具有强辐射的应用场合。


特点:   

全模拟
硬件补偿
批量制造
定制化

全模拟
HTP605使用全模拟电路,没有数字或微处理器元件,抗干扰能力强。
硬件补偿
传感器内置硬件补偿电路有效抑制温度变化对传感器mV输出信号的影响,传感器在-20~60℃温度范围内输出信号的温度系数TCR≤±4uV/℃。

批量制造
传感器供应商具备年产6万套传感器的生产制造能力,工艺稳定可靠。
定制化
支持客户定制化需求。



     

 

规格代码

代码说明

型号

HTP605

  全模拟单晶硅压力变送器方案

应用领域

N

  Nuclear

压力类型

G

  表压

A

  绝压

D

  差压

测量量程

S1

  -1KPa~1KPa

S2

  -6kPa~6kPa

M1

  -40kPa~40kPa

M2

  -100KPa~100KPa

M4

  -400kPa~400kPa

L1

  -4MPa~4MPa

L2

  -10MPa~10MPa

输出信号

A

  4~20mA

隔离膜片材质

SS

  SUS 316L

HC

  哈氏合金C-276

TA

  钽

GD

  SUS 316L 镀金

填充液

S

  硅油

F

  氟油

O

  植物油

密封圈

FS

  氟橡胶

DS

  丁腈橡胶

TS

  聚四氟乙烯

夹块

46D10

  46D 夹块,M10

46D16

  46D 夹块,7/16

显示方式

N

  无

壳体连接件

N00

  无

M45

  M45*1.5 螺纹

G55

  G55*16 牙螺纹

序号

名称

更新时间

下载链接

1

 HTP605系列全模拟单晶硅压力变送器方案

2020-7-31

点击下载


同类型产品


Deutsch-Chinesisches MEMS Smart Sensor Institut
攀技术高峰 • 造世纪芯片
Climbing the technological peak and making century chips
江苏MEMS智能传感器研究院
+86(0)25-52107836     地址:南京市江宁区金鑫中路9号     邮箱:Info@mems-​sensor.com